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Colloque
En épitaxie par jet moléculaire (MBE) il fut démontré que la composition et l'épaisseur de couches minces à base de semiconducteurs III-V peuvent être contrôlées efficacement en utilisant l'éllipsométrie spectroscopique (SE) [1,2]. Pour un éllipsomètre de 88 longueurs d'ondes fonctionant en géométrie avec analyseur rotatif, on utilise la transformée de Fourier de la variation temporelle du signal SE afin d'extraire la réflectivité complexe où rP et rS sont les réflexions de la lumière incidente selons les polarisation p (dans le plan d'incidence) et s (perpendiculaire au plan d'incidence). Ces réflexions se calculent selon les relations de Fresnel habituelles. Pour chaque …
