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Technologies photoniques pour les réseaux haut débit en régions rurales et éloignées
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Suite à un mandat du gouvernement fédéral, le CNRC est en phase de démarrage pour un nouveau programme de recherche intitulé ‘Réseaux à hauts débits et sécures pour régions rurales et éloignées’ (RHDS). Une vue d’ensemble du programme sera présentée suivie d’une revue des avancées en recherche sur les composants photoniques avancés au CNRC. En nous basant sur différents résultats de recherche en photonique silicium, sources à boîtes quantiques, photo-détecteurs et dispositifs imprimables, nous allons explorer comment une nouvelle génération de dispositifs pourrait contribuer au développement futur des réseaux de télécommunications, en particulier pour les régions rurales et éloignées.

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Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur …

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Interdiffusion des points quantiques InAs/InP
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Nous allons présenter nos résultats relatifs à l'interdiffusion de points quantiques InAs/InP. On montre qu'avec l'utilisation de recuits à haute température, on peut obtenir des décalages vers le bleu de l'ordre de 120 meV tant pour des échantillons fabriqués par MOCVD que pour des échantillons fabriqués par MBE. Dans ces deux cas, la distribution inhomogène reste inchangée après interdiffusion, ce qui est interprété en terme d'un élargissement originant de variations dans l'épaisseur des points quantiques.

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Points quantiques auto-assemblés : propriétés optiques et quasi-atomiques
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Depuis quelques années, les spécialistes des matériaux semiconducteurs sont capables de fabriquer des îlots semiconducteurs de très faible dimension (rayon typique de 10 nm) en utilisant des techniques d'auto-assemblage. Ainsi, en déposant une fine couche d'un matériau donné (par exemple de l'InAs) sur un substrat ayant un paramètre de maille différent (par exemple le GaAs), on observe la formation spontanée de ces îlots qui aide à la minimisation de l'énergie élastique renfermée dans la couche épitaxiale. Les travaux de caractérisation effectués sur ces couches d'îlots auto-assemblés ont démontré des propriétés physiques analogues a celles d'atomes individuels : émission au spectre …

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