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La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
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La synthèse de points quantiques colloïdaux (PQc) CdSe/ZnxCd1-xS permet d’accorder la différence de paramètre de maille entre le cœur et la coquille grâce à la composition de l’alliage de cette dernière. Nous pouvons ainsi adapter non seulement les contraintes, mais aussi la profondeur du potentiel de confinement en ajustant la concentration relative de Zn:Cd. Ainsi, en variant x de 0 à 1, on passe d’une hétérostructure CdSe/CdS à confinement faible où la fonction d’onde électronique est délocalisée dans tout le PQc à un confinement fort pour CdSe/ZnS où les fonctions d’ondes des porteurs demeurent confinées surtout dans le cœur. Conséquemment, …
Cinq couches de points quantiques InAs séparées par un matériel quaternaire InGaAsP constituent la région active d’une diode laser dont le confinement optique est réalisé à l’aide d’InP. L’étude de cette diode montre que sa longueur d’onde d’émission est ~1.6 um à une température de 77K. Toutefois, cette longueur d’onde, ainsi que la densité de courant seuil, peut être modifiée en changeant la longueur de la cavité du laser et dans le cas de la plus longue cavité, il a été possible d’atteindre un seuil aussi bas que 49 A/cm2 à 77K. Une dépendance en température du courant seuil a …