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Colloque
Les cellules solaires multi-jonctions utilisées en concentration sont fabriquées à partir de semi-conducteurs III-V et peuvent fournir plus que 40% d'efficacité. Des études expérimentales et de la modélisation numérique nous permettent de bien comprendre l'opération de présents dispositifs et aussi d'apporter des solutions possibles pour améliorer leurs efficacités. Une compréhension des jonctions à effet tunnel nous permet de comprendre comment réduire les résistances entre jonctions pour obtenir des dispositifs capables d'opérations à plus fortes concentrations qui ainsi permettent une plus grande efficacité d'opération. Pour de plus grandes améliorations en performances, un équilibrage en courant des différentes jonctions peut être accompli …
Colloque
Nous avons produit par épitaxie par jets moléculaires des points quantiques auto-assemblés dans le système InAs/GaAs de différentes grandeurs et de densité d'ensemble variée. Ceci a été accompli en contrôlant la pression d'arsenic pendant la déposition et le recuit de l'InAs. L'évolution d'ensembles de points quantiques a été étudiée en variant la pression d'arsenic à une quantité d'InAs déposée spécifique, ainsi qu'en variant la quantité d'InAs déposée à trois pressions d'arsenic. Nos résultats suggèrent que le contrôle qu'exerce la pression d'arsenic sur les points quantiques se fait par l'entremise de la variation de la longueur de diffusion de l'indium en …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K …
Colloque
Ces minuscules points semiconducteurs permettent l’étude du comportement quantique des électrons en quasi zéro dimension. La théorie prédit qu’un tel système possède des niveaux d’énergie discrets et cela a été vérifié expérimentalement. En effet, l’épitaxie à faisceau moléculaire permet de déposer sur un substrat des points quantiques très similaires les uns aux autres, ce qui permet d’observer les raies dans le spectre de photoluminescence de l’échantillon. Dans cet exposé, je donnerai plus de détails sur la structure et le potentiel de nos points. Par la suite, j'introduirai diverses techniques de croissance (telles que l'évacuation de l'indium, la recuite rapide, etc.) …
