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Colloque
Nous allons présenter nos résultats relatifs à l'interdiffusion de points quantiques InAs/InP. On montre qu'avec l'utilisation de recuits à haute température, on peut obtenir des décalages vers le bleu de l'ordre de 120 meV tant pour des échantillons fabriqués par MOCVD que pour des échantillons fabriqués par MBE. Dans ces deux cas, la distribution inhomogène reste inchangée après interdiffusion, ce qui est interprété en terme d'un élargissement originant de variations dans l'épaisseur des points quantiques.
Colloque
L'industrie de la microélectronique est - et demeurera dans un avenir prévisible - principalement basée sur la technologie du silicium en raison de la disponibilité à faible coût de substrats de haute qualité, de la stabilité exceptionnelle de SiO2 et de procédés de fabrication de circuits intégrés éprouvés et très performants. Nos travaux visent à développer une famille d'alliages métastables de semi-conducteurs du groupe IV permettant d'accéder à des largeurs de bandes interdites allant de ~0 (semi-métallique) à ~3 eV pour des applications en microélectronique et en optoélectronique. Nous effectuons la croissance épitaxiale dans des conditions fortement hors équilibre pour …
