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Colloque
Le GaN est d'intérêt pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques opérant dans les longueurs d'ondes bleues et proche-UV. Hautes densités de dislocations et problèmes de ségrégation dans les puits quantiques d'InGaN/GaN ont généré un intérêt soutenu envers l'étude spatialement résolue de la luminescence de ce système. L'induction de luminescence par microscope à effet tunnel (STM-L) représente une alternative intéressante à la cathodoluminescence traditionnelle. Le STM injecte des porteurs de charges directement dans la bande énergétique du semi-conducteur sans faire appel à l'ionisation par impact. Cet avantage permet l'étude nanométrique de la luminescence de semi-conducteurs optoélectroniques. Avec cette technique, nous avons …
