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Colloque
La croissance phénoménale dans le domaine des communications entraîne la technologie vers la réalisation de composants optoélectroniques de plus en plus performants. Les matériaux de choix pour les systèmes de communication par fibres optiques à 1.3 et à 1.55 mm sont des structures à base d'InGaAsP, épitaxiées sur substrat d'InP. Malgré des études poussées sur les propriétés de ces matériaux, beaucoup de points restent à élucider pour réaliser de nouveaux dispositifs de plus en plus performants. Nous avons étudié les phénomènes de relaxation, de transport, de capture et de recombinaison des porteurs dans des structures lasers à puits quantiques multiples …
Colloque
Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
Colloque
On se propose d'étudier les propriétés thermiques des interféromètres modulaux tout-fibre. Il en existe deux types. Le premier est constitué d'une fibre bimodale reliée par épissure à deux fibres unimodales. Le deuxième utilise une seule fibre unimodale effilée, dont la partie centrale est bimodale. Dans ces systèmes, l'intensité transmise dépend du déphasage entre les modes LP01 et LP02 de la région bimodale. Pour certaines conditions d'opération, ces interféromètres peuvent devenir insensibles aux variations de température. Pour une fibre optique standard de télécommunication à mode optique unique filmée en régime modal, il existe trois valeurs du paramètre Vco qui donnent dWmax/dT …
Colloque
Les effets photo-élastiques se manifestent dans les lasers à semi-conducteurs à structure "ridge-waveguide" lorsque le contact ohmique se fait par l'ouverture d'une fenêtre pratiquée dans la couche diélectrique (SiO2) du dessus. La présence de contraintes mécaniques a pour effet de modifier la partie réelle de la permittivité complexe de la cavité du laser. Dans un modèle global du laser à semi-conducteurs contenant les équations de diffusion des porteurs, de Laplace et de Helmholtz (avec résolution par éléments finis), nous montrons que les effets photo-élastiques sont différents pour le mode TE et le mode TM. En particulier, les courbes L-I pour …
Colloque
Les effets photo-élastiques se manifestent dans les lasers à semi-conducteurs à structure "ridge-waveguide" lorsque le contact ohmique se fait par l'ouverture d'une fenêtre pratiquée dans la couche diélectrique (SiO2) du dessus. La présence de contraintes mécaniques a pour effet de modifier la partie réelle de la permittivité complexe de la cavité du laser. Dans un modèle global du laser à semi-conducteurs contenant les équations de diffusion des porteurs, de Laplace et de Helmholtz (avec résolution par éléments finis), nous montrons que les effets photo-élastiques sont différents pour le mode TE et le mode TM. En particulier, les courbes L-I pour …
