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Colloque
Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
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Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
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Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
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Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
