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Colloque
Les hétérostructures à base de InGaAsP/InP sous contraintes ont reçu beaucoup d'attention en raison de leur potentiel pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique et plus particulièrement aux diodes laser. Le transport, la capture et l'émission des porteurs dans les puits quantiques sont parmi les principaux processus physiques qui limitent la bande passante de modulation en amplitude et en fréquence des diodes laser. Malgré un nombre important de travaux expérimentaux et théoriques, ces mécanismes physiques ne sont pas encore bien compris. Dans ce travail, nous étudions la dynamique ultra-rapide des porteurs incluant le transport, la capture et la recombinaison …
Colloque
Les effets photo-élastiques se manifestent dans les lasers à semi-conducteurs à structure "ridge-waveguide" lorsque le contact ohmique se fait par l'ouverture d'une fenêtre pratiquée dans la couche diélectrique (SiO2) du dessus. La présence de contraintes mécaniques a pour effet de modifier la partie réelle de la permittivité complexe de la cavité du laser. Dans un modèle global du laser à semi-conducteurs contenant les équations de diffusion des porteurs, de Laplace et de Helmholtz (avec résolution par éléments finis), nous montrons que les effets photo-élastiques sont différents pour le mode TE et le mode TM. En particulier, les courbes L-I pour …
