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Colloque
Jusqu'à tout récemment, on croyait que les transistors à effet de champ à base de nanotubes de carbone (CNFET) démontraient exclusivement un transport de trous à l'atmosphère ambiante en raison d'une haute barrière de potentiel à l'injection d'électrons situés à l'interface électrode métallique-nanotube. Nous avons démontré par un nouvel ensemble d'expériences que cette hypothèse ne pouvait expliquer le transport ambipolaire mesuré à l'atmosphère ambiante simplement en modifiant la nature chimique du diélectrique utilisé comme substrat. Des expériences sous atmosphère contrôlée nous ont permis de déterminer la cause du phénomène responsable de l'inhibition du transport d'électrons dans les CNFETs; nous avons …
Colloque
La purification des nanotubes de carbone double-parois (DWNTs) est essentielle pour permettre l'intégration de ce matériau dans des dispositifs électroniques. Le défi associé à cette purification réside dans le fait que l'on désire maintenant isoler les DWNTs (77% du matériau de départ) des simples parois (18%) présents. Bien que la structure atomique de ces deux espèces diffère, ceux-ci sont très difficile à distinguer de façon macroscopique. Actuellement, les méthodes principalement utilisées pour parvenir à isoler les DWNTs ont généralement un très faible rendement ce qui limite leur application à plus grande échelle. Nous avons donc développé un procédé de purification …
Colloque
Lors de l’épitaxie des semi-conducteurs, il est possible de stimuler l’arrangement spontané des atomes en îlots de taille nanométrique. Ces derniers, une fois enfouis dans une matrice dont la largeur de bande interdite est grandement supérieure à celle du matériau les constituant, agissent comme des boîtes quantiques (BQ). Tandis que les îlots s’arrangent de manière aléatoire lors du dépôt d’une seule couche, il est possible d’influencer la position des sites de germination et donc l’arrangement tridimensionnel (3D) des nanostructures lors de la croissance de multicouches, via l’ingénierie des champs de déformation causés par les îlots enfouis. Nous pouvons exploiter ce …
Colloque
Des surfaces polymères contenant de l’azote (N) peuvent servir dans divers domaines d’applications, surtout biomédicales. Nous avons développé plusieurs méthodes pour déposer des couches de « polyéthylène dopé N », dites « PE:N », utilisant des plasmas à basse pression (« L-PPE:N »), à pression atmosphérique (« H-PPE:N »), ou par voie photochimique (« UV-PE:N ») à l’aide le l’ultraviolet lointain. Les caractérisations chimiques et structurales de ces matériaux ont étés effectuées à l’aide de spectroscopies des photoélectrons X (XPS), NEXAFS (anglais : Near-edge X-ray Absorption Fine Structure) et infrarouge par transformée de Fourier (FTIR). La dérivatisation chimique à l’aide …
Communication
Le CoSi2, de par sa faible résistivité et son paramètre de maille presque identique à celui du Si, est idéal pour la métallisation des circuits intégrés. La grande réactivité de Co rend difficile la croissance de CoSi2 de bonne qualité par recuit de Co sur Si. L’implantation ionique suivie d’un recuit thermique est une alternative prometteuse pour former des couches épitaxiales de CoSi2. Nous avons implanté des doses de Co allant de 1x1016 à 1,5x1017 cm-2 dans des substrats de Si(001) pour étudier les étapes initiales de la croissance de CoSi2. L’énergie d’implantation de 300 keV correspond à une profondeur …
