Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Le carbure de silicium (SiC) est un semiconducteur IV-IV à grand gap ayant un grand intérêt pour des applications de pointe en électronique, comme matériau de structure, en nanotechnologie et biocompatibilité. Les surfaces du SiC sont étudiées par i) microscopie et spectroscopie à effet tunnel à résolution atomique (electrons/photons), ii) photoémission de niveau de cœur et de bande de valence utilisant le rayonnement synchrotron, iii) diffraction de rayons X à incidence rasante et iv) absorption infrarouge. Parmi les résultats, les quelques points suivants seront présentés et discutés : • Formation auto-organisée d’un super réseau de lignes atomiques de Si «''massivement …
