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pen icon Colloque
Auto-organisation tridimensionnelle de nanostructures semi-conductrices auto-assemblées
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Annie Lévesque Patrick Desjardins Nikolay Shtinkov Remo A. Masut
Congrès 2008 Processus chimiques et physiques associés aux surfaces, interfaces et nanostructures

Lors de l’épitaxie des semi-conducteurs, il est possible de stimuler l’arrangement spontané des atomes en îlots de taille nanométrique. Ces derniers, une fois enfouis dans une matrice dont la largeur de bande interdite est grandement supérieure à celle du matériau les constituant, agissent comme des boîtes quantiques (BQ). Tandis que les îlots s’arrangent de manière aléatoire lors du dépôt d’une seule couche, il est possible d’influencer la position des sites de germination et donc l’arrangement tridimensionnel (3D) des nanostructures lors de la croissance de multicouches, via l’ingénierie des champs de déformation causés par les îlots enfouis. Nous pouvons exploiter ce …

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Auto-organisation tridimensionnelle de nanostructures semi-conductrices auto-assemblées
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Annie Lévesque Patrick Desjardins Nikolay Shtinkov Remo A. Masut
Congrès 2008 Processus chimiques et physiques associés aux surfaces, interfaces et nanostructures

Lors de l’épitaxie des semi-conducteurs, il est possible de stimuler l’arrangement spontané des atomes en îlots de taille nanométrique. Ces derniers, une fois enfouis dans une matrice dont la largeur de bande interdite est grandement supérieure à celle du matériau les constituant, agissent comme des boîtes quantiques (BQ). Tandis que les îlots s’arrangent de manière aléatoire lors du dépôt d’une seule couche, il est possible d’influencer la position des sites de germination et donc l’arrangement tridimensionnel (3D) des nanostructures lors de la croissance de multicouches, via l’ingénierie des champs de déformation causés par les îlots enfouis. Nous pouvons exploiter ce …

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Annie Lévesque Patrick Desjardins Nikolay Shtinkov Remo A. Masut
Congrès 2008 Processus chimiques et physiques associés aux surfaces, interfaces et nanostructures

Lors de l’épitaxie des semi-conducteurs, il est possible de stimuler l’arrangement spontané des atomes en îlots de taille nanométrique. Ces derniers, une fois enfouis dans une matrice dont la largeur de bande interdite est grandement supérieure à celle du matériau les constituant, agissent comme des boîtes quantiques (BQ). Tandis que les îlots s’arrangent de manière aléatoire lors du dépôt d’une seule couche, il est possible d’influencer la position des sites de germination et donc l’arrangement tridimensionnel (3D) des nanostructures lors de la croissance de multicouches, via l’ingénierie des champs de déformation causés par les îlots enfouis. Nous pouvons exploiter ce …

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