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Fuite thermique des porteurs de charge dans des familles de boîtes quantiques auto-assemblées d’InAs/InP
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L’évolution de la photoluminescence en fonction de la température (10 à 300 K) a été étudiée dans deux échantillons de boîtes quantiques auto-assemblées d’InAs/InP. Afin de comprendre la réduction de l’intensité des multiples pics d’émission en fonction de la température, un modèle basé sur les équations du bilan détaillé a été créé. Il inclut la fuite thermique des porteurs des boîtes quantiques vers la couche de mouillage et vers la barrière d’InP, puis la recapture de ceux-ci et l’émission non radiative. Nous avons été en mesure de reproduire, grâce à une seule série de paramètres, l’intensité de chaque pic d’émission …

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Auto-organisation tridimensionnelle de nanostructures semi-conductrices auto-assemblées
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Lors de l’épitaxie des semi-conducteurs, il est possible de stimuler l’arrangement spontané des atomes en îlots de taille nanométrique. Ces derniers, une fois enfouis dans une matrice dont la largeur de bande interdite est grandement supérieure à celle du matériau les constituant, agissent comme des boîtes quantiques (BQ). Tandis que les îlots s’arrangent de manière aléatoire lors du dépôt d’une seule couche, il est possible d’influencer la position des sites de germination et donc l’arrangement tridimensionnel (3D) des nanostructures lors de la croissance de multicouches, via l’ingénierie des champs de déformation causés par les îlots enfouis. Nous pouvons exploiter ce …

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