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Nous avons préparé des dispositifs Schottky et MIS à partir du a-Si(H). Ces dispositifs sont étudiés à deux points de vue: ils sont d'intérêt comme piles photovoltaïques, et leurs caractéristiques nous éclaircissent sur les propriétés du matériau de base. Des améliorations de ce matériau, des hausses de barrière, et des contacts chimiques nous ont permis d'atteindre des rendements de l'ordre de 3%, qui peuvent être dépassés avec des contacts transparents et des couches antireflets. Des études du comportement des diodes, de leur conductance et de leur capacité, dans le noir et sous illumination, en fonction de la température, de la …
L'étude des matériaux semi-conducteurs amorphes, et particulièrement le silicium, suscite un intérêt croissant de par leur application potentielle comme dispositifs de photoconversion (pile solaire photovoltaïque). Les efforts orientés vers la production de tels matériaux possédant une résistivité intrinsèque et un gap d'énergie élevés. Les recherches antérieures ont démontré que les matériaux de type Si-H produits par couches minces d'un alliage Si-H produit à partir de la décomposition d'une (SiH4) dans une décharge hyperfréquence. Nous avons suivi une approche semblable en utilisant, pour la première fois, une décharge hyperfréquence (2.45 GHz) pour la décomposition de SiH4. Les matériaux obtenus présentent des …
En effet tunnel inélastique, quand eV est égal à une énergie caractéristique, vibrationque ou autre, qui pourrait être détecté par spectroscopie infrarouge ou Raman, on observe une anomalie dans le courant. Ce fait a donné lieu à une technique spectroscopique, IETS. La sensibilité est très supérieure à celles des deux autres spectroscopies citées: on peut détecter <5x10⁻³ d'une monocouche métallique. L'analyse du spectre d'effet tunnel permet l'identification des espèces sur une surface, en mesure de leur concentration, et dans le cas appliqué, leur orientation. IETS a déjà été appliqué aux problèmes de physique et chimie des surfaces, de l'adhésion, des …
La diffusion de métaux dans les membranes ioniques est bien connue mais il existe très peu de références en ce qui concerne les polymères utilisés comme isolants électriques: polyéthylène, polystyrène, térephtalate de polyéthylène (Mylar™). Nous avons étudié cette possibilité en plaçant plusieurs films de polymères entre 2 couches métalliques (dans le vide et dans l'air). Après avoir maintenu le "sandwich" pour un certain temps à différentes températures, un à un, les quantités de métaux ayant diffusé par activation thermique. Dans le Mylar™, entre 50 et 100°C, on mesure une dizaine de ppm d'Al, Ag et Au. En plus ces métaux …
L'étude de la formation d'arborescences (détérioration de l'isolant polymérique dans des câbles de transport d'énergie de haute tension) est un problème de grand intérêt technologique et scientifique. Le phénomène est lié à la formation de radicaux libres. Nous utilisons la méthode de la résonance paramagnétique électronique (RPE) pour détecter la présence de radicaux libres dans un échantillon de polyéthylène (PE) après avoir amorcé une arborescence dans celui-ci. Nous nous sommes intéressés aux arborescences dans le PE solide, à faible densité (LDPE) et réticulé (XLPE), à la température ambiante ainsi qu'à celle de l'azote liquide. Un échantillon (LDPE) soumis à 10 …
On a mesuré l'effet tunnel avec des jonctions Pb dopées au Zn ou ZnS oxydées et recouvertes de métal. Dans les deux cas, les mesures effectuées par micro-sonde indiquent que le dépôt de Zn sur le Pb est, en moyenne, de l'ordre d'une monocouche. En état supraconducteur, les caractéristiques I-V des jonctions présentent une structure supplémentaire comparativement au Pb seul, qui ne peut s'expliquer par un effet de proximité entre Pb et Zn. Ces propriétés sont d'ailleurs identiques pour des jonctions dopées au Zn ou au ZnS. En état de conduction normale, les propriétés sont très différentes et sur un …
On a mesuré l'effet tunnel avec des jonctions Pb dopées au Zn ou ZnS oxydées et recouvertes de métal. Dans les deux cas, les mesures effectuées par micro-sonde indiquent que le dépôt de Zn sur le Pb est, en moyenne, de l'ordre d'une monocouche. En état supraconducteur, les caractéristiques I-V des jonctions présentent une structure supplémentaire comparativement au Pb seul, qui ne peut s'expliquer par un effet de proximité entre Pb et Zn. Ces propriétés sont d'ailleurs identiques pour des jonctions dopées au Zn ou au ZnS. En état de conduction normale, les propriétés sont très différentes et sur un …