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Colloque
Afin de comprendre le rôle joué par les défauts dans l’arséniure de gallium, nous avons irradié ce semiconducteur p-type au zinc (5x10^15, 5x10^16, 5x10^17, 5x10^18 cm^-3) et dopé au silicium (10^15, 10^16, 10^17 et 10^18 cm^-3) aux doses d’électrons (7 MeV) et de neutrons (1 MeV) entre 3x10^13 et 3x10^15 cm^-2. Nous avons utilisé la photoconductivité et la photoluminescence pour caractériser les échantillons. La comparaison de ces deux sortes d’irradiation sur le GaAs et l’effet du doping sur les défauts créés seront présentés.
Colloque
Les cristaux mixtes Cdi-xZrxS2 forment une solution solide pour toutes valeurs de x (0 à 1). Comme semiconducteurs, leur gap varie entre 2.4 eV (x = 0) et 3.7 eV (x = 1). Les impuretés sont responsables pour la luminescence; normalement la lumière plus énergétique que le gap est convertie en une autre moins énergétique que l'énergie du gap. Moins bien connu est le processus inverse; de la lumière moins énergétique que le gap est convertie en une autre plus énergétique. Nous présenterons nos résultats pour cette famille de semi-conducteurs et le modèle physique du processus.
Colloque
Le développement de nouvelles applications de la technologie des plasmas thermiques dans les procédés métallurgiques et chimiques fait l'objet d'études intensives. Une attention particulière est aussi apportée à l'étude fondamentale du transfert de chaleur, et de la dynamique des fluides et des particules sous conditions de plasmas. Le problème d'injection pneumatique des poudres dans un jet de plasma, tel qu'utilisé au procédé de déposition des couches protectrices par projection par plasma, offre un défi bien particulier. Ceci est dû au caractère tridimensionnel du champ d'écoulement et du champ thermique qui en résulte de l'interaction du gaz porteur froid lorsqu'il est …
Colloque
Le TMATCNQ (triméthylammonium iodure tétracyanoquinodiméthane) est un métal organique formé de chaînes de I3 et TCNQ. Trois transitions de phase ont été décelé par d'autres chercheurs à 160°K, 95°K et 65°K. Le comportement des fréquences, largeurs et intensités du mode symétrique de I3 a été étudié par spectroscopie Raman en fonction de température dans ce cristal du métal. Les résultats nous permettent d'établir la participation des ions I3 dans les transitions de phases du métal, et de ce fait, l'importance des effets électroniques a pu être mis en évidence.
Colloque
Les composés CaWO4, SrWO4 et BaWO4 se forment avec la structure cristalline "scheelite" (C4h). L'étude des spectres RAMAN de ces composés a permis l'identification de 13 modes phononiques tels que prévus par la théorie des groupes. Cependant, un nouveau mode de fréquence 56 cm−1 (d'environ 30 cm−1 moindre que la plus faible fréquence jusqu'ici rapportée) se manifeste dans le spectre RAMAN du CaWO4 à basse température (10K). L'étude détaillée de la variation (non linéaire) des fréquences de vibration et du changement d'intensité et de largeur des raies RAMAN pourrait conduire à l'hypothèse d'une transition structurale à Tc ≈ 250K.
Colloque
Une des hypothèses couramment utilisées lors de la mesure par spectroscopie des champs de température dans un jet de plasma est que la source d'émission est symétrique. Malheureusement, bien que cette hypothèse simplifie considérablement les calculs de l'inversion Abel et réduit le nombre de mesures requises, elle n'est pas toujours strictement réalisée. En effet, les plasmas avec une symétrie axiale parfaite sont plutôt exceptionnels. L'objectif de ce travail a été de modifier les techniques couramment utilisées pour l'inversion Abel afin de pouvoir l'appliquer au cas de sources d'émission asymétrique. Des résultats expérimentaux sont donnés pour un jet de plasma d'argon …
Colloque
Nous avons comparé le spectre d'émission de N2 (C + B) dans trois sources: un tube à décharge du type "glow" à basse pression, une décharge couronne, et une torche en courant continu. Malgré le fait que la puissance mise dans la couronne était de 0.25 watts et dans la torche 10 000 watts, la température vibrationnelle dans la couronne était plus élevée que dans la torche; pourtant, la température rotationnelle de la couronne était très faible (260 K). Ces données confirment que la couronne est une source efficace d'espèces excitées vibrationnellement.
Colloque
Présentation d'une étude expérimentale, donnant les profils de raies prédissociées de la bande (0,9) de la transition B → A de 1D. On y remarque que le profil de Fano dépend de la composante de spin électronique, en plus de l'apparition de raies supplémentaires. La méthode existante à ce sujet ne laissait présager aucunement ces observations. Des mesures faites près des limites de précisions laissent entrevoir une complexité accrue, encore inconnue jusqu'à maintenant, du phénomène de la prédissociation des molécules diatomiques.
Colloque
Le profil d'une transition optique peut être influencé par la présence des niveaux voisins très proches. Le circuit RLC qui est un modèle du profil lorentzien est étendu pour inclure le cas des multiplets. Un circuit qui reproduit le profil de Fano est inventé et étendu aussi pour inclure les transitions entre les multiplets. Les deux modèles sont appliqués à la prédissociation des molécules. Les résultats sont comparés aux données expérimentales de la transition B -> A de la molécule OD.
Colloque
Les transitions B 2Σ+ → A 2Σ+ de la molécule OD ont été enregistrées photoélectriquement. Les niveaux vibrationnels de l'état A 2Σ+ sont prédissociés pour v > 5 et les transitions à ces niveaux sont élargies. Le profil de ces transitions prédissociées sera présenté.
