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Colloque
La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse …
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La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse …
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La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse …
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L'implantation des ions d'hydrogène prend de plus en plus de l'importance dans les technologies exigées par le développement des générations futures de dispositifs électroniques. La technologie Smart-Cut®, a permis la fabrication des substrats SOI (silicium sur isolant) de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé, en utilisant des ions de basse énergie, que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm pose des problèmes particuliers qui défient les modèles présentés pour …
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L'implantation des ions d'hydrogène prend de plus en plus de l'importance dans les technologies exigées par le développement des générations futures de dispositifs électroniques. La technologie Smart-Cut®, a permis la fabrication des substrats SOI (silicium sur isolant) de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé, en utilisant des ions de basse énergie, que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm pose des problèmes particuliers qui défient les modèles présentés pour …
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L'implantation des ions d'hydrogène prend de plus en plus de l'importance dans les technologies exigées par le développement des générations futures de dispositifs électroniques. La technologie Smart-Cut®, a permis la fabrication des substrats SOI (silicium sur isolant) de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé, en utilisant des ions de basse énergie, que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm pose des problèmes particuliers qui défient les modèles présentés pour …
Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et D de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de moins de 100 nm d’épaisseur. Plusieurs échantillons de silicium d’orientation (100) ont été implantés, à la température ambiante, d’ions H et D de 5 keV. À la suite d’un traitement RCA modifié rendant les surfaces hydrophiles, les échantillons implantés sont « soudés » à une tranche de silicium comportant une couche d’oxyde de 300 nm …
Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et He de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de 100 nm (ou moins) d’épaisseur. Nous avons trouvé que l’extrapolation de haute à basse énergie n’est pas triviale et que, de plus, les conditions requises pour le clivage sont différentes de celles nécessaires au simple clocage. Plusieurs échantillons de Si avec orientation (100) et (110) ont été implantés à température ambiante avec des ions H …
Colloque
Les cloques produites par implantation de l’hydrogène et/ou de l’hélium jouent un rôle primordial dans la technologie de séparation de films minces. L’étude de ces structures lors de l’implantation des ions à basse énergie a des applications potentielles dans la technologie du silicium sur isolant de faible dimension (~ 100 nm). L’utilisation des ions de faible énergie (~ 5 keV) ne semble pas être facile sachant que la physique de pénétration des ions dans la matière est gravement affectée dans cette gamme d’énergie. En effet, nous avons trouvé que l’implantation des ions de faible énergie pose des problèmes particuliers qui …
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Les cloques produites par implantation de l’hydrogène et/ou de l’hélium jouent un rôle primordial dans la technologie de séparation de films minces. L’étude de ces structures lors de l’implantation des ions à basse énergie a des applications potentielles dans la technologie du silicium sur isolant de faible dimension (~ 100 nm). L’utilisation des ions de faible énergie (~ 5 keV) ne semble pas être facile sachant que la physique de pénétration des ions dans la matière est gravement affectée dans cette gamme d’énergie. En effet, nous avons trouvé que l’implantation des ions de faible énergie pose des problèmes particuliers qui …
