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Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et He de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de 100 nm (ou moins) d’épaisseur. Nous avons trouvé que l’extrapolation de haute à basse énergie n’est pas triviale et que, de plus, les conditions requises pour le clivage sont différentes de celles nécessaires au simple clocage. Plusieurs échantillons de Si avec orientation (100) et (110) ont été implantés à température ambiante avec des ions H …
Colloque
Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et He de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de 100 nm (ou moins) d’épaisseur. Nous avons trouvé que l’extrapolation de haute à basse énergie n’est pas triviale et que, de plus, les conditions requises pour le clivage sont différentes de celles nécessaires au simple clocage. Plusieurs échantillons de Si avec orientation (100) et (110) ont été implantés à température ambiante avec des ions H …
