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Étude de la résistance du magnésium contenant des traces de manganèse aux très basses températures
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La résistance électrique du magnésium contenant des traces de manganèse a été mesurée entre 0.5°K et 4.2°K. La magnétorésistance a aussi été étudiée entre 1.2°K et 4.2°K dans un champ magnétique H jusqu'à 5koe. Pour la résistance en l'absence d'un champ magnétique nous avons noté l'absence d'un maximum et un accroissement de la résistance avec la décroissance de la température jusqu'aux températures les plus basses. La magnétorésistance demeure positive et est proportionnelle à H1.31.

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Étude de la résistance du magnésium contenant des traces de manganèse aux très basses températures
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La résistance électrique du magnésium contenant des traces de manganèse a été mesurée entre 0.5°K et 4.2°K. La magnétorésistance a aussi été étudiée entre 1.2°K et 4.2°K dans un champ magnétique H jusqu'à 5koe. Pour la résistance en l'absence d'un champ magnétique nous avons noté l'absence d'un maximum et un accroissement de la résistance avec la décroissance de la température jusqu'aux températures les plus basses. La magnétorésistance demeure positive et est proportionnelle à H1.31.

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