Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Aspnes a proposé récemment une modification au schéma de bandes de GaAs en situant le point L de la bande de conduction en dessous du point X. Pour tester cette modification, des mesures du coefficient de Hall et de la conductivité électrique en fonction de la température, de 0°C à 500°C, ont été faites sur des échantillons de GaAs de type n, pour des concentrations allant de 10^16 à 5 x 10^18/cm^3. Les résultats expérimentaux ont été comparés aux valeurs obtenues avec les équations habituelles de diffusion dans lesquelles les différences d'énergie entre les points Γ, X, L, les potentiels …
Colloque
En se basant sur de récentes mesures des phénomènes de transport, effectuées sur du GaSb de type-n, dopé au tellurium, on discutera les modes possibles de diffusion des électrons de la bande l₁c. La mobilité des électrons a été calculée à température ambiante et au-dessus; tout en supposant l'existence d'un temps de relaxation pour chaque mécanisme, les modes de diffusion suivant furent utilisés: phonons acoustiques agissant sur les électrons à l'intérieur de la bande (intra-bande) et diffusant les électrons de la bande l₁c dans une autre bande, l₁c (inter-bande), phonons acoustiques, impuretés ionisées et charge d'espace. Afin d'obtenir un accord …
Colloque
En se basant sur de récentes mesures des phénomènes de transport, effectuées sur du GaSb de type-n, dopé au tellurium, on discutera les modes possibles de diffusion des électrons de la bande l₁c. La mobilité des électrons a été calculée à température ambiante et au-dessus; tout en supposant l'existence d'un temps de relaxation pour chaque mécanisme, les modes de diffusion suivant furent utilisés: phonons acoustiques agissant sur les électrons à l'intérieur de la bande (intra-bande) et diffusant les électrons de la bande l₁c dans une autre bande, l₁c (inter-bande), phonons acoustiques, impuretés ionisées et charge d'espace. Afin d'obtenir un accord …
Colloque
Des mesures de capacité des barrières Schottky et des jonctions abruptes p-n fabriquées avec du silicium de type n dans lequel de l'or avait été diffusé à 1000°C ont été effectuées à différentes températures. Les courbes de ΔV/Δ(1/c2) vs C ont été analysées (1) en termes de l'énergie, de la constante de temps d'émission, et de la concentration du niveau accepteur de l'or. Les valeur de concentration ainsi obtenues sont comparées avec celles obtenues de l'effet Hall. (1) R.R. Senechal and J. Basinski, Bull. Am. Phys. Soc. 12,656 (1967).
