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Colloque
Aspnes a proposé récemment une modification au schéma de bandes de GaAs en situant le point L de la bande de conduction en dessous du point X. Pour tester cette modification, des mesures du coefficient de Hall et de la conductivité électrique en fonction de la température, de 0°C à 500°C, ont été faites sur des échantillons de GaAs de type n, pour des concentrations allant de 10^16 à 5 x 10^18/cm^3. Les résultats expérimentaux ont été comparés aux valeurs obtenues avec les équations habituelles de diffusion dans lesquelles les différences d'énergie entre les points Γ, X, L, les potentiels …
