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Colloque
L'InSb est un semiconducteur du groupe III-V qui possède un faible gap et une très grande mobilité des porteurs négatifs. Lorsque le semiconducteur est très pur et non dégénéré, il offre une forte dépendance en champ magnétique de sa conductivité électrique et de l'absorption ultrasonore. Ceci s'explique par le fait qu'à faible concentration de porteurs, il est possible de faire recouvrement de leur fonction d'onde ce recouvrement s'absent quand on applique un champ magnétique qui induit une contraction de la fonction d'onde dans le plan perpendiculaire au champ. L'absorption ultrasonore est ainsi augmentée puisque la diminution de la conductivité électrique …
Colloque
On considère le transfert de chaleur entre un solide ordinaire et l'hélium liquide. Il est bien connu que la résistance de contact thermique observée est beaucoup plus faible que celle prévue par les théories traditionnelles. Dans une communication antérieure (ACFAS 1977), nous avons démontré que ce désaccord peut être expliqué si l'on tient compte de l'existence d'"amélium" dans la couche dense d'hélium à l'interface. Nous présentons ici de nouveaux résultats basés sur le principe de réversibilité microscopique, ce qui nous amène à la conclusion que le transfert de chaleur est forcément dissymétrique et par conséquent qu'il faudra tenir compte de …
