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Colloque
Les effets photo-élastiques se manifestent dans les lasers à semi-conducteurs à structure "ridge-waveguide" lorsque le contact ohmique se fait par l'ouverture d'une fenêtre pratiquée dans la couche diélectrique (SiO2) du dessus. La présence de contraintes mécaniques a pour effet de modifier la partie réelle de la permittivité complexe de la cavité du laser. Dans un modèle global du laser à semi-conducteurs contenant les équations de diffusion des porteurs, de Laplace et de Helmholtz (avec résolution par éléments finis), nous montrons que les effets photo-élastiques sont différents pour le mode TE et le mode TM. En particulier, les courbes L-I pour …
