Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Les techniques de photoconductivité et de photoluminescence ont été utilisées pour caractériser des couches épitaxiées de GaAs sur des substrats de Si. Ces couches ont été réalisées par la technique d'épitaxie par jets moléculaire. La présente étude a permis d'obtenir plusieurs informations sur la contrainte biaxiale, présente dans la couche de GaAs, causée par la différence des constantes de maille des deux matériaux. Les deux techniques expérimentales utilisées mettent en évidence la levée de dégénérescence des bandes de valence trous-lourds et trous-légers du GaAs sous l'effet de la contrainte biaxiale. En variant la température de 2K à 300K, on montre …
