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Colloque
Notre recherche vise à répondre à cette question: est-ce qu'une modification de la microstructure pourrait entraîner une accélération de la migration de l'hydrogène pendant la désorption laser? Des cibles de silicium ont déjà été implantées d'hydrogène selon < 001 > et désorbées à divers niveaux par laser. Des lames minces sont préparées en utilisant une méthode d'amincissement mécano-chimique et examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscopie électronique en transmission (MET). Nous allons présenter des corrélations entre l'évolution de la structure du silicium désorbé à divers niveaux et la quantité d'hydrogène désorbé. Ces résultats nous permettront de connaître …
Colloque
Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
