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Colloque
Des dépôts épitaxiques de GaAs ont été réalisés par transport réactif à courte distance sur des substrats parfaitement orientés de Ge(100) et sur des substrats vicinaux désorientés à 1,5° et 3° selon [110]. Les couches sont examinées en coupes transverses et en coupes planes par microscope électronique en transmission (MET) conventionnelle. Le réseau de dislocations de désaccord paramétrique, caractéristique de l'hétéroépitaxie, est observé confiné à l'interface. Les dislocations sont parfaites, limitées de type 60° et plus rarement coins de type Lomer. Les parois d'antiphase, caractéristiques d'une hétéroépitaxie d'un composé polaire sur un substrat non polaire sont également observées mais leur …
