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Colloque
Des mesures de photoluminescence ont été effectuées sur des échantillons de GaAs dopés par implantation ionique à haute énergie (MeV). Une étude des dommages induits en profondeur est obtenue à l'aide d'un biseau chimique. Les effets d'un recuit initial sur le verre sont observés ainsi que l'évolution des profils de défauts après un recuit thermique rapide (RTA). Une comparaison des profondeurs de pénétration avec des mesures de canalisation démontre un accord raisonnable avec les simulations effectuées à l'aide du logiciel TRIM.
Colloque
À l'approche de transitions de phase, les systèmes unidimensionnels ont la caractéristique de pouvoir fluctuer sur un grand domaine de températures. Nous nous intéressons ici à un système unidimensionnel de type magnétique. Le CsNiCl₃ est un isolant où les moments magnétiques sur les atomes de Ni forment des chaînes. À température relativement élevée, T > 20 K, on peut observer des fluctuations unidimensionnelles dans le système. À basses températures, ces fluctuations provoquent un amollissement du réseau élastique observé par un examen des constantes élastiques. Ceci peut être fait par l'utilisation d'une méthode ultrasonore, plus précisément par interférométrie acoustique (30 à …
Colloque
À l'approche de transitions de phase, les systèmes unidimensionnels ont la caractéristique de pouvoir fluctuer sur un grand domaine de températures. Nous nous intéressons ici à un système unidimensionnel de type magnétique. Le CsNiCl₃ est un isolant où les moments magnétiques sur les atomes de Ni forment des chaînes. À température relativement élevée, T > 20 K, on peut observer des fluctuations unidimensionnelles dans le système. À basses températures, ces fluctuations provoquent un amollissement du réseau élastique observé par un examen des constantes élastiques. Ceci peut être fait par l'utilisation d'une méthode ultrasonore, plus précisément par interférométrie acoustique (30 à …
