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Colloque
Couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques, la photosensibilité est une propriété encore mal comprise en particulier dans les verres à base de silice. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de rendre photosensible la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié la photosensibilité en fonction de la dose implantée entre 1e13 ions/cm2 et 1e16 ions/cm2. La photosensibilité étant liée aux défauts présents dans la silice, nous avons fait varier l'énergie des ions incidents entre 1 MeV et 30 MeV de manière à produire préférentiellement des défauts par ionisation ou par collision atomique. L'exposition de la …
Colloque
Des mesures de photoluminescence ont été effectuées sur des échantillons de GaAs dopés par implantation ionique à haute énergie (MeV). Une étude des dommages induits en profondeur est obtenue à l'aide d'un biseau chimique. Les effets d'un recuit initial sur le verre sont observés ainsi que l'évolution des profils de défauts après un recuit thermique rapide (RTA). Une comparaison des profondeurs de pénétration avec des mesures de canalisation démontre un accord raisonnable avec les simulations effectuées à l'aide du logiciel TRIM.
Colloque
Pour compléter le montage existant de luminescence en temps réel à l'Université de Montréal, un montage automatisé de luminescence en excitation continue fut mis au point. On a alors étudié le comportement de dix échantillons de SrTiO3 dont quatre déjà caractérisés sur le premier montage. Les résultats obtenus dans l'ultraviolet rapproché, le visible et l'infrarouge rapproché seront présentés. Nous aborderons quelques modèles théoriques dont celui de l'exciton auto-piégé pour expliquer les spectres observés.
