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Colloque
Des couches épitaxiales de Ga_xIn_{1-x}P/InP(0 < x < 0.1) sous contraintes ont été réalisées par MOCVD à basse pression. L'étude de la diffraction des rayons-X montre des modulations d'interférence qui attestent de la haute qualité cristalline de ces structures. La simulation de ces spectres a permis l'identification de l'origine des différents pics ainsi que la caractérisation de ces couches (composition, épaisseur etc...). Les résultats indiquent une incorporation linéaire du Gallium dans la phase solide et une augmentation de l'efficacité de croissance avec la quantité de Gallium dans la phase vapeur.
Colloque
Des couches épitaxiales de Ga_xIn_{1-x}P/InP(0 < x < 0.1) sous contraintes ont été réalisées par MOCVD à basse pression. L'étude de la diffraction des rayons-X montre des modulations d'interférence qui attestent de la haute qualité cristalline de ces structures. La simulation de ces spectres a permis l'identification de l'origine des différents pics ainsi que la caractérisation de ces couches (composition, épaisseur etc...). Les résultats indiquent une incorporation linéaire du Gallium dans la phase solide et une augmentation de l'efficacité de croissance avec la quantité de Gallium dans la phase vapeur.
