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Colloque
Dans le cadre du développement de la lithographie à rayons-X, nous avons développé, à l'INRS Énergie, des masques en vue de cette application en utilisant le procédé PECVD. Étant données ses propriétés mécaniques et optiques, le SiC est un très bon candidat comme matériau pour les membranes à rayons-X. Nous nous intéressons plus particulièrement à l'étude de recuit thermique rapide (RTA) ainsi qu'à l'influence de ces paramètres de fabrication sur les propriétés du carbure de silicium. Les méthodes de caractérisation employées sont entre autres la spectroscopie photoélectron par rayons-X (XPS) ainsi que la spectroscopie infrarouge (FTIR).
