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Colloque
Les traitements de surfaces par plasma font désormais partie intégrante du paysage industriel, et les applications de cette technique ne se comptent plus. Néanmoins, les mécanismes physico-chimiques qui régissent l'interaction plasma-surface sont complexes et jusqu'à présent mal connus. Dans ce cadre, nous avons montré que l'effet de la tension de polarisation appliquée à un substrat de Si recouvert de polyimide se manifeste par deux régimes de gravure: (I) gravure chimique et (II) gravure chimique induite. De plus, en faisant varier la fréquence de polarisation, nous avons pu mettre en évidence deux situations nouvelles: dans le cas d'une gravure s'effectuant via …
Colloque
Les traitements de surfaces par plasma font désormais partie intégrante du paysage industriel, et les applications de cette technique ne se comptent plus. Néanmoins, les mécanismes physico-chimiques qui régissent l'interaction plasma-surface sont complexes et jusqu'à présent mal connus. Dans ce cadre, nous avons montré que l'effet de la tension de polarisation appliquée à un substrat de Si recouvert de polyimide se manifeste par deux régimes de gravure: (I) gravure chimique et (II) gravure chimique induite. De plus, en faisant varier la fréquence de polarisation, nous avons pu mettre en évidence deux situations nouvelles: dans le cas d'une gravure s'effectuant via …
Colloque
Si, grâce à l'industrie de la microélectronique, les réactions entre le plasma et le silicium sont connues et modélisées, la physico-chimie résultante de l'interaction d'un plasma et d'un polymide reste encore obscure. De nombreux articles, qui font état de la modification de polymide par plasma froid, ignorent les aspects de mécanismes réactionnels. Nous avons entrepris d'étudier l'effet du bombardement ionique sur les mécanismes de gravure plasma mettant ainsi en évidence la composante de la vitesse de gravure due à ce bombardement lorsqu'on applique une tension de polarisation RF (13.56 MHz) à un substrat de silicium recouvert de polymide. Le plasma …
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Si, grâce à l'industrie de la microélectronique, les réactions entre le plasma et le silicium sont connues et modélisées, la physico-chimie résultante de l'interaction d'un plasma et d'un polymide reste encore obscure. De nombreux articles, qui font état de la modification de polymide par plasma froid, ignorent les aspects de mécanismes réactionnels. Nous avons entrepris d'étudier l'effet du bombardement ionique sur les mécanismes de gravure plasma mettant ainsi en évidence la composante de la vitesse de gravure due à ce bombardement lorsqu'on applique une tension de polarisation RF (13.56 MHz) à un substrat de silicium recouvert de polymide. Le plasma …
