Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes …
