Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
La longueur de diffusion L des porteurs minoritaires dans le semiconducteur d'une cellule photovoltaïque Schottky peut être déterminée par un procédé simple grâce aux mesures de changements de courant d'éclairement à obscurité AI et de capacité de jonction, C, avec variation de la tension appliquée. Avec un éclairage d'une longueur d'onde qui pénètre profondément dans l'échantillon, on trace AI en fonction de 1/C et on extrapole la portion linéaire à l'abcisse pour déterminer L. On démontre qu'il est possible d'étendre la méthode d'une jonction Schottky à une hétérojonction, si la couche fenêtre est suffisamment transparente à la longueur d'onde utilisée. …
Colloque
On a déterminé la longueur de diffusion des électrons Ld de la couche absorbante de sélénium de cellules photovoltaïques au Se-CdO à partir de mesures de la capacité C et du photocourant obtenues sous éclairage monochromatique en faisant varier la polarisation inverse. Sous une lumière incidente pénétrante d'une longueur d'onde correspondant à la bande interdite, le tracé par rapport à 1/C est linéaire sur une certaine fourchette de valeurs de polarisation, lorsque l'on correspond à la différence entre le courant d'éclairement et le courant d'obscurité. L'extrapolation de ce segment sur l'axe 1/C donne Ld. On a constaté que le rendement …
