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Colloque
Beaucoup de travaux ont été réalisés sur les propriétés électriques de diodes Schottky fabriquées sur d'InP. Cependant, très peu d'études ont été publiées sur des diodes faites à base de couches épitaxiales de ce matériau. Ceci nous a motivés à réaliser une étude systématique sur le mécanisme de transport de courant électrique de la barrière Schottky Au/p-InP. La couche épitaxiale de phosphure d'indium dopée avec d'éthylzinc a été fabriquée par la technologie MOVPE, développée à l'École Polytechnique de Montréal pour la croissance épitaxiale des composés III-V à base d'InP. La haute barrière Schottky (1.03eV) a été fabriquée par la déposition …
