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Colloque
Beaucoup de travaux ont été réalisés sur les propriétés électriques de diodes Schottky fabriquées sur d'InP. Cependant, très peu d'études ont été publiées sur des diodes faites à base de couches épitaxiales de ce matériau. Ceci nous a motivés à réaliser une étude systématique sur le mécanisme de transport de courant électrique de la barrière Schottky Au/p-InP. La couche épitaxiale de phosphure d'indium dopée avec d'éthylzinc a été fabriquée par la technologie MOVPE, développée à l'École Polytechnique de Montréal pour la croissance épitaxiale des composés III-V à base d'InP. La haute barrière Schottky (1.03eV) a été fabriquée par la déposition …
Colloque
Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt …
