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Propriétés électriques de nanostructures à base de semiconducteurs
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Les progrès technologiques récents en matière de croissance épitaxiale et de techniques de lithographie de semiconducteurs ont permis la réalisation de structures aux dimensions nanométriques qui sont conçues pour travailler à un niveau quantique. Dans ce travail, nous présentons des mesures de propriétés de transport réalisées sur des structures comprenant deux points de contact quantiques (PCQ) en série. Sous champ magnétique intense, le transport d'électrons dans ces structures s'effectue par des canaux de Landau longitudinaux (ou états de bord), la configuration utilisée s'avère être idéale pour l'étude des interactions entre ces états de bord. Nous avons étudié le régime adiabatique …

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