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Colloque
L'YBa2Cu3O7-x est un cristal qui devient supraconducteur à haute Tc (~90K). Une méthode CE est habituellement utilisée pour mesurer le pouvoir thermoelectrique de l'YBa2Cu3O7-x polycristallin et monocristallin. Cette mesure a montré une transition brutale à T=Tc, d'une valeur nulle (TTc). Pour obtenir une meilleure résolution, une méthode CA a été utilisée par quelques auteurs. However, et al, en utilisant la méthode CA, ont observé un pic à la transition et ils l'ont interprété par la possibilité d'un effet de fluctuation (en se basant sur un calcul théorique dû par Maki). Dans le présent travail, en utilisant la méthode CA, on …
Colloque
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
Colloque
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
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La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
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La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
