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Colloque
La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, …
