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Colloque
On a étudié la désorption par un laser pulsé XeCl du deutérium implanté dans le C-Si et dans le graphite HOPG. Les conditions nécessaires à une analyse quantitative ont été établies. Les seuils de désorption sont 0.55 ± 0.09 J/cm² et 0.43 ± 0.07 J/cm² pour C-Si et HOPG respectivement; dans le dernier matériau, on observe aussi une désorption de méthane deutéré. Par modélisation théorique on a déterminé les énergies d'activation de la désorption, soit 1.2 ± 0.3 eV pour C-Si et 2.35 ± 0.55 eV pour HOPG. Des mesures projetées de flux d'ions dans TdeV seront rapportées.
