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Colloque
Afin de comprendre le rôle joué par les défauts dans l’arséniure de gallium, nous avons irradié ce semiconducteur p-type au zinc (5x10^15, 5x10^16, 5x10^17, 5x10^18 cm^-3) et dopé au silicium (10^15, 10^16, 10^17 et 10^18 cm^-3) aux doses d’électrons (7 MeV) et de neutrons (1 MeV) entre 3x10^13 et 3x10^15 cm^-2. Nous avons utilisé la photoconductivité et la photoluminescence pour caractériser les échantillons. La comparaison de ces deux sortes d’irradiation sur le GaAs et l’effet du doping sur les défauts créés seront présentés.
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Afin de comprendre le rôle joué par les défauts dans l’arséniure de gallium, nous avons irradié ce semiconducteur p-type au zinc (5x10^15, 5x10^16, 5x10^17, 5x10^18 cm^-3) et dopé au silicium (10^15, 10^16, 10^17 et 10^18 cm^-3) aux doses d’électrons (7 MeV) et de neutrons (1 MeV) entre 3x10^13 et 3x10^15 cm^-2. Nous avons utilisé la photoconductivité et la photoluminescence pour caractériser les échantillons. La comparaison de ces deux sortes d’irradiation sur le GaAs et l’effet du doping sur les défauts créés seront présentés.
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Afin de comprendre le rôle joué par les défauts dans l’arséniure de gallium, nous avons irradié ce semiconducteur p-type au zinc (5x10^15, 5x10^16, 5x10^17, 5x10^18 cm^-3) et dopé au silicium (10^15, 10^16, 10^17 et 10^18 cm^-3) aux doses d’électrons (7 MeV) et de neutrons (1 MeV) entre 3x10^13 et 3x10^15 cm^-2. Nous avons utilisé la photoconductivité et la photoluminescence pour caractériser les échantillons. La comparaison de ces deux sortes d’irradiation sur le GaAs et l’effet du doping sur les défauts créés seront présentés.
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Afin de comprendre le rôle joué par les défauts dans l’arséniure de gallium, nous avons irradié ce semiconducteur p-type au zinc (5x10^15, 5x10^16, 5x10^17, 5x10^18 cm^-3) et dopé au silicium (10^15, 10^16, 10^17 et 10^18 cm^-3) aux doses d’électrons (7 MeV) et de neutrons (1 MeV) entre 3x10^13 et 3x10^15 cm^-2. Nous avons utilisé la photoconductivité et la photoluminescence pour caractériser les échantillons. La comparaison de ces deux sortes d’irradiation sur le GaAs et l’effet du doping sur les défauts créés seront présentés.
