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Les progrès récents accomplis dans les techniques de croissance épitaxiale ont permis la réalisation de lasers à hétérostructures à couche active contrainte. Cela a conduit à un abaissement significatif du courant de seuil de ces dispositifs. Une connaissance précise de la masse effective (m*) des porteurs, de l'énergie des niveaux quantiques et de leur variation avec la contrainte et la composition des couches est nécessaire pour optimiser les performances de ces lasers. Nous avons utilisé la technique de résonance cyclotron pour déterminer m* dans des structures à simple puits quantique de type n et de type p présentant différents niveaux …