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Nous avons effectué des expériences de photoconductivité (PC) et de photoconductivité persistante (PPC) à différentes températures (88 K-300 K) sur des couches épitaxiales GaInP/InP où le contenu en Ga est varié de 6% à 17%. Les mesures PC indiquent que le gap est lié à la concentration de gallium. Nous avons aussi trouvé que certains niveaux profonds sont semblables alors que d'autres varient selon l'échantillon. De plus, nous avons observé pour la première fois des phénomènes PPC dans le GaInP/InP. Les résultats obtenus dépendent de l'intensité de la lumière, de la durée d'excitation et de l'énergie des photons. Ces observations …