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La recherche d'un matériel satisfaisant toutes les figures de mérite et offrant des possibilités d'intégration nous a amenés à investiguer les semiconducteurs (s/c) à la moitié de leur gap. Lorsque ceux-ci sont utilisés à proximité de leur gap, la sélectivité pour les libres diminue et le temps de réponse atteint que la transmission. De plus, dans la région entre le gap et la moitié de ce dernier, l'absorption à deux photons limite l'utilisation des s/c pour la photonique. Pour ces raisons, nous avons décidé d'investiguer AlGaAs sous la moitié du gap et aux longueurs d'onde pour la communication optique, i.e. …