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La conductibilité électrique du sulfure de germanium (II) à l’état solide et à l’état liquide
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Des résultats préliminaires sur la conductivité spécifique du sulfure de germanium (II) en fonction de la température ont été présentés au 34e Congrès de l’ACFAS. Ces mesures ont, depuis, été améliorées et complétées et les résultats obtenus semblent indiquer que dans le GeS solide la semi-conductivité intrinsèque prédomine tandis que dans le liquide la conductibilité est déterminée par la formation et l'ionisation de défauts, probablement des lacunes de germanium.

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Quelques particularités du système Ge-S
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Des résultats sur la variation de la conductivité électrique du sulfure de germanium GeS liquide en fonction de la température ont été présentés au congrès de l'ACFAS 1965. De nouvelles mesures ont été effectuées sur un intervalle de température plus étendu c'est-à-dire, jusqu'au point d'ébullition du sulfure. Une étude parallèle sur le sulfure de germanium solide sera commentée.

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Semiconduction et ordre à courte distance
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Des travaux récents semblent démontrer que le phénomène de semiconduction n'est pas lié à la présence d'un ordre cristallin rigoureux, mais dépend de l'environnement immédiat des atomes. L'étude des propriétés électriques des sulfures de germanium, d'étain et de plomb à l'état liquide confirme cette hypothèse. La comparaison des bandes d'énergie interdites permet d'établir une corrélation entre la structure de ces composés à l'état solide et leurs structures à l'état liquide.

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Semiconduction et ordre à courte distance
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Des travaux récents semblent démontrer que le phénomène de semiconduction n'est pas lié à la présence d'un ordre cristallin rigoureux, mais dépend de l'environnement immédiat des atomes. L'étude des propriétés électriques des sulfures de germanium, d'étain et de plomb à l'état liquide confirme cette hypothèse. La comparaison des bandes d'énergie interdites permet d'établir une corrélation entre la structure de ces composés à l'état solide et leurs structures à l'état liquide.

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