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Colloque
La nature des fautes d'empilement épitaxiales de silicium d'orientation (111) est déduite sans partir de l'hypothèse que les dislocations partielles aux arêtes, déterminées par les intersections des plans de fautes {111}, sont du type a/6 <110>. De plus, on montre que les dislocations partielles aux quatre arêtes des fautes semi-octaédtrales, dans les couches d'orientation (100) ne peuvent pas être toutes du type a/6 <110>; par contre, les deux seules formes d'énergie minimum des fautes semi-octaédtrales sont celles pour lesquelles les dislocations partielles aux quatre arêtes sont du type a/3 <100>.
Colloque
Avec le microscope Koristka MS2 nouvellement arrivé, des mesures de diffusion multiple ont été exécutés sur des protons atteignant 15 Mev, provenant des neutrons de l'accélérateur Cockroft-Walton, par la méthode de la flèche. Dans des essais successifs de mise au point, on a utilisé des cellules constantes de 25, de 10 et de 5 microns, puis un schéma de cellule variable 1/2 R dit à flèche constante. La théorie prévoit une constante de diffusion K voisine de 2,5 radians/microns 3/2 Mev. On a confirmé sensiblement pour l'émulsion employée, la valeur de la constante. On a déterminé le bruit des mesures …
