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Communication
Les liaisons pendantes en surface des semiconducteurs (SC) sont autant de pièges à électron qui limitent l’efficacité énergétique des cellules solaires. Une des solutions passe par la passivation de surface qui permet de diminuer la densité de ces pièges, mais aucune méthode de caractérisation ne permet actuellement de faire une mesure dynamique et non destructive de cette densité d’état de surface. Nous proposons ici une telle technique, éprouvée sur des couches de nitrure (SiN) déposées à la surface de GaAs. Un laser délivre un train d’impulsion d’une durée de 100 femtosecondes (fs) avec une cadence de 80MHz. Ce train d’impulsion …
