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Colloque
La fabrication de substrats de silicium sur isolant (SOI) ultra minces (100 nm et moins) est une technologie prometteuse pour la future génération de transistors nanométriques, assurant ainsi la transition entre micro-électronique et nano-électronique dans la prochaine décennie. La technologie Smart-Cut® a permis la fabrication des substrats SOI de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm en utilisant des ions de basse …
Communication
Le CoSi2, de par sa faible résistivité et son paramètre de maille presque identique à celui du Si, est idéal pour la métallisation des circuits intégrés. La grande réactivité de Co rend difficile la croissance de CoSi2 de bonne qualité par recuit de Co sur Si. L’implantation ionique suivie d’un recuit thermique est une alternative prometteuse pour former des couches épitaxiales de CoSi2. Nous avons implanté des doses de Co allant de 1x1016 à 1,5x1017 cm-2 dans des substrats de Si(001) pour étudier les étapes initiales de la croissance de CoSi2. L’énergie d’implantation de 300 keV correspond à une profondeur …
