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Colloque
Le blanchissage de la bande d'absorption à 5 eV et la création d'autres bandes à plus haute et plus faible énergies ont été examinés dans le cas de l'irradiation de la silice dopée au germanium (5GeO2:95SiO2) par les lasers excimères ArF (6.4 eV) et KrF (5 eV). On reporte une différence dans le processus de transformation des deux composantes formant la bande à 5 eV. La première composante à l'origine d'un défaut absorbant à une énergie de 5.06 eV et qui est appelée "neutral oxygen monovacancy" (NOMV) se transforme en des centres qui piègent des électrons et qu'on appelle "germanium …
Colloque
La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais …
Colloque
La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais …
Colloque
La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …
Colloque
La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer …
