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Colloque
Une grande partie des propriétés électro-optiques des semiconducteurs est déterminée par les états situés entre la bande de valence et la bande de conduction. À l'interface d'une jonction métal-semiconducteur, ces états créent une région de charge d'espace dans le semiconducteur. Un montage automatisé de caractérisation de cette région a été mis en opération pour les semiconducteurs amorphes. Il permet des mesures de courants et de capacités en fonction de paramètres tels la polarisation, la fréquence, la température et le temps.
