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Colloque
Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …
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Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …
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Nous explorons la possibilité de texturer le silicium en utilisant l’effet de cloquage provoqué par l’implantation ionique d’hydrogène. Des tranchées submicroniques sont préparées par lithographie électronique dans une résine de PMMA créant ainsi des conditions frontières pour le phénomène du cloquage. La première étape du projet fût de déterminer les fluences critiques de cloquage de l’hydrogène dans le silicium pour des énergies d’implantation inférieures à 10 keV, et ceci pour des surfaces « infinies » (sans conditions frontières). À 5 keV, la fluence provoquant la plus forte densité de cloques est de 3,5x1016 H/cm2, suivie d’une fluence donnant lieu à …
