Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Filtrer les résultats
Colloque
Le silicium-germanium est devenu au fil des ans l'un des matériaux les plus intéressants pour l'industrie de la microélectronique car il permet de doubler la vitesse d'opération des transistors tout en préservant la compatibilité avec les technologies de production existantes. Au CNR, nous utilisons une technique de dépôt de pointe d'épitaxie en phase vapeur sous vide poussé (UHV-CVD) afin d'élaborer des couches minces de Si-Ge utilsées tant par l'industrie de la microélectronique canadienne, pour le développement de nouveaux produits, que par les universités, pour de nouvelles initiatives de recherche. Dans cette présentation, la technique de dépôt sera décrite, ainsi que …
